历经50年的发展，我国电子元件的完整产业体系已全面形成。电子元件产业得到全面、快速的发展，无论产品种类、规格、产能和产量、技术水平都得到很大提高。

　　我国电子元件产业规模，近20多年来的年增速达20％，2006年我国电子元件规模以上生产企业近3700家，销售收入超过6000多亿元。我国电子元件的生产已进一步走向现代化和规模化，从而确立了我国电子元件世界生产大国的地位。主要表现在：我国电子元件的产量已占全球的近39％以上。产量居世界第一的产品有：电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板。其中，微特电机产量已占全球的60％。但上述产品销售额并非世界第一。这说明我国在电子元件的高端产品方面还存在比较大的差距以及我国从电子元件生产大国到电子元件生产强国还有很长的路要走。

　　我国电子元件行业存在的问题是：电子元件的生产大国，但决非生产强国。表现在：

　　1、低价取胜的营销策略，势必导致持续竞争力的降低，甚至丧失。我国元器件比日本产品的价格便宜5成极为普遍！电阻器、加热器、连接器等通用零部件价格，有的甚至不足日本厂商的1／10。其原因是我国绝大部分元器件企业还是把自己的生存之本寄托在设备和营销上，但却忽略了工艺的进步、人才的培养和技术开发的投入。

　　2、自主创新不足，产品质量水平在世界上属中低挡。最早开发镍电极多层陶瓷电容器(MLCC)的太阳诱电，目前MLCC的最高容量已达lOOμF，出货量为170亿个／月。太阳诱电下城忠通表示，生产一颗高品质的高容值电容需要600多个制造工序，目前具备这种技术实力的厂家还很少，如在型号为0805的产品规格上太阳诱电可以做到22μF电容值，这是绝大部分竞争对手目前还做不到的。

　　3、元件质量水平参差不齐，产品的一致性、供货稳定性不够，与当前国际上倡导并实施的技术创新、提升产品质量和服务水平差距甚远。

　　4、新功能新结构和高性能（高温、高频、大容量、低ESR和ESL等）的电子元件仍需大量进口，一方面我国元件产量大量增加，不少产品产量已居世界首位，但同时元件进出口贸易逆差却越来越大。

　　5、元件企业和整机企业缺乏深层次合作，导致元件企业信息不灵，与整机配套十分被动、滞后。通用元件生产过剩，新型整机研发所需新型元件，国内企业又难以满足。不难看出，我国电子元件行业所存在的问题是：大而不强—企业规模偏小；廉而不贵—产品技术开发能力弱，核心和关键技术依赖进口；低价竞争—营销削弱了行业整体竞争力；片式化、复合化的技术发展缓慢，与世界强国差距很大。

信息产业发展对电子元件的技术需求：

　　1、随着半导体集成电路生产与研发水平越来越高，电子整机的微小型化、集成化、高密度化，要求与之配套的电子元件必须微小型化、片式化、复合化和多功能化。

　　2、电子整机、无线通讯的工作频率越来越高，已进入微波、毫米波频段，要求相应的元器件，必须满足微带化、宽频、低介、高频低损、低ESR、低ESL和复合化集成化。

　　3、高频、大功率电源模块及高密度小体积电源电路和专用电源（DC/DC、AC/DC）要求电子元件应满足高功率密度、小体积、高频低损耗、耐浪涌能力强、耐高温。

世界电子元件发展预测：

　　按照我国电子元件15个大类产品统计．预计2010年世界电子元件市场将达到3614亿美元，产品产量将达到38400亿只。

　　世界电子元件市场预测

　　产品类别、2010年产量（亿只）、2010年销售额（亿美元）

　　电子元件总计、38400、3614（其中：电阻电位器、14000、50）

　　电容器、20000、220

　　压电陶瓷及声表器件、200、20

　　磁性材料与器件、(142万吨）、185

　　电子变压器、150、150

　　电感器、800、40

　　压电晶体器件、200、60

　　混合集成电路、100、600

　　敏感元器件与传感器、100、420

　　电接插元件、2500、473

　　控制继电器、150、60

　　微特电机与组件、100、200

　　光电线缆、其中：光缆（20000万芯公里）、490

　　电声器件、100、100

　　印制电路、（60000万平方米）、546注：磁性材料、光电线缆和印制电路产量未计入总计。

　　据日本电子工业振兴会对世界电子信息产业发展预测，2010年世界电子元件市场将达2800亿美元。另据报道，全球片式元器件产量将从2005年15000亿只增至2010年25000亿只，年均增长13％。

　　在全球化的浪潮中，世界电子元件产业规模不断扩大，生产集中度不断提高。新材料、新工艺、新设备大量涌现，电子元件的技术又有了新的进展，主要表现在：

　　1、片式化、小型化已成为衡量电子元件技术发展水平的重要标志之一。世界各国包括亚太地区、印度等发展中国家和地区，各类电子元件均已有相应的片式化产品。其中，片式电容、片式电阻、片式电感三大无源元件，约占全球片式元件总产量的85％-90％。电子元件片式化的同时，小型化也在迅速发展，不仅传统元件在迅速小型化，片式元件也在迅速小型化。

　　2、电子元件复合化和集成化的步伐加快。1005型4连的片式电阻网络应用急速增长；片式MLCC网络1608型4连、1005型2连产品已批量生产。估计在2006年，15％手机中的无源元件已被片式集成无源元件(IPD)取代。

　　3、高性能化高频化电子设备的微波波段已成为重要的发展趋势。这要求电子元件的使用频段向更高的方向发展，电容器主要是降低ESR(等效串联电阻)和ESL(等效串联电感)。如3212型三端电容器(2200pf)，ESL=0、03nH，ESR=32mΩ，分别为常规产品的1／12和1／8。片式电感器的使用频率已达到12GHz，射频同轴连接器的工作频率已达110GHz。

　　4、对温度也提出更高的要求。地质勘探、汽车电子和航空航天领域的需求在-55℃～+150℃。-55℃～+300℃的陶瓷电容器，-55℃～+175℃和-55℃～+300℃的有机薄膜电容器，150℃2000h高温的铝电解电容器已经面世，500℃～1100℃的高温热敏电阻已在汽车电子中获得应用。

我国电子元件的发展趋势：

　　1、片式化、小型化。以多层陶瓷电容器(MLCC)为例，目前的主流产品尺寸正在从0603型向0402型过渡，而更受市场欢迎的高端产品是0201型。

　　2、多功能化。随着电子新型产品功能的不断增加，对片式元件功能的要求也越来越多样化。

　　3、集成模块化。近年来，由于低温共烧陶瓷(LTCC)等技术的突破，才使无源集成技术进入了实用化和产业化阶段，并成为备受关注的技术制高点。

　　4、微波、高频化和宽带化。目前电子整机向微波、毫米波、高频宽带方向发展的趋势十分强劲。此外，高速数字电路产品越来越多，光通信的传输速度已从2．5Gbps发展到10Gbps。这些都对电子元器件的高频和宽频化提出了更高的要求。